後藤　健

Professional Career

経歴

2004年04月～2006年02月：三菱電機株式会社電力事業部
2009年04月～2010年05月：筑波大学大学院数理物質科学研究科博士研究員
2010年06月～2019年02月：株式会社タムラ製作所コアテクノロジー本部
2019年03月～現在：東京農工大学 応用化学部門 助教

Academic Degrees

学位

2009年03月　博士（理学）筑波大学

Research Interests

キーワード

半導体量子構造, 半導体電気物性, 窒化物半導体エピ成長, 酸化物半導体エピ成長, ワイドバンドギャップ半導体, 近赤外・可視光・深紫外, 半導体光物性

Publications

論文

• Kumagai, Y., Goto, K., Nagashima, T., Yamamoto, R., Boćkowski, M., Kotani, J., Influence of growth rate on homoepitaxial growth of AlN at 1450 °C by hydride vapor phase epitaxy. Applied Physics Express (Appl. Phys. Express) 15: 115501 1-4, 2022