超ワイドバンドギャップ半導体結晶AlNの気相成長およびデバイス応用の研究

• 研究概要

  超ワイドバンドギャップ半導体結晶である窒化アルミニウム（AlN）および酸化ガリウム（Ga₂O₃）の高品質結晶を、独自のハライド気相成長（HVPE）法で高速成長させる研究を実施する。AlNはウイルス不活性化用の265 nm帯の固体深紫外線発光素子の基板材料として注目されているが、その普及には高品質結晶の高速成長を実現し、基板の大量供給を実現することが必須である。また、低損失パワーデバイス材料として注目されるGa₂O₃では、その高純度結晶の高速成長および導電性制御技術の開発が必須である。本研究チームではこれらの研究を、HVPE法で窒化ガリウム（GaN）の結晶成長を研究している海外研究機関の研究者らと連携して進め、デバイス応用を加速することを目的としている。

  

その他の研究者

村上　尚　（工学研究院・准教授）
後藤　健（工学研究院・助教）